Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Lichtemittierende Diode und Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Diode

LED or LED prototype structure manufacturing method for multicolored LED display, involves limiting active surface of LED by limiting trench, and forming active surface and front side contacting structure to surround limiting trench
 
: Kunzer, Michael; Moser, Rüdiger

:
Frontpage ()

DE 102012218897 A1: 20121017
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
DE102012218897A1 Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Diode (11) folgende Verfahrensschritte umfassend: A Abscheiden einer LED-Schichtstruktur (2) auf einem Substrat (1), welche LED-Schichtstruktur (2) zumindest eine untere dotierte Halbleiterschicht (2a), einen aktiven Halbleiterbereich (2c) und eine obere dotierte Halbleiterschicht (2b) umfasst, wobei die Dotierung der oberen dotierten Halbleiterschicht (2b) entgegengesetzt zu der Dotierung der unteren dotierten Halbleiterschicht (2a) ausgebildet ist, wobei die untere Halbleiterschicht (2a) die dem Substrat (1) naeherliegende der beiden Halbleiterschichten ist, B Aufbringen einer transparenten Elektrodenschicht (3) mittelbar oder unmittelbar auf die obere Halbleiterschicht (2b), C Aufbringen zumindest einer metallischen Vorderseitenkontaktierungsstruktur (6) mittelbar oder unmittelbar auf die der LED-Schichtstruktur (2) abgewandte Seite der Elektrodenschicht (3), welche Vorderseitenkontaktierungsstruktur (6) umschließend ausgebildet wird. Die Erfindung betrifft weiterhin eine lichtemittierende Diods (11), die unter Verwendung solch eines Verfahrens hergestellt wird sowie die verwendung solch einer lichtemittierenden Diode.

 

The method involves depositing a LED layer structure (2) on a silicon substrate (1), where the LED layer structure comprises a lower doped semiconductor layer (2a), an active semiconductor region (2c), and an upper doped semiconductor layer (2b). A transparent electrode layer is applied directly or indirectly on the upper doped semiconductor layer. An active surface of the LED is limited by a limiting trench in an electrode layer. The active surface and a front side contacting structure are formed to surround the limiting trench. An independent claim is also included for a LED.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-310987.html