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Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer organischen Halbleiterschicht

Method for forming film on organic-semiconductor layer, involves using non-equilibrium magnetron with predetermined magnetic field intensity for sputtering process
 
: Bartzsch, Hagen

:
Frontpage ()

DE 102012012653 A1: 20120625
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer FEP ()

Abstract
DE102012012653A1 Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem innerhalb eines Rezipienten auf einer Schicht (2) aus einem organischen Halbleitermaterial mittels Magnetron-Sputtern eine weitere Schicht abgeschieden wird, wobei fuer das Sputtern mindestens ein unbalanciertes Magnetron (3; 4) mit einer Magnetfeldstaerke von mindestens 35 kN/m verwendet wird.

 

The method involves using non-equilibrium magnetron with 35 kA/m magnetic field intensity for sputtering process. The electric potential of the anode is separated from the electric potential of substrate (1). The electric potential of film-forming chamber is used for magnetron sputtering.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-310956.html