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Title
Verfahren zum Abscheiden einer Schicht auf einer organischen Halbleiterschicht
Date Issued
2014
Patent No
102012012653
Abstract
DE102012012653A1 Die Erfindung betrifft ein Verfahren, bei dem innerhalb eines Rezipienten auf einer Schicht (2) aus einem organischen Halbleitermaterial mittels Magnetron-Sputtern eine weitere Schicht abgeschieden wird, wobei fuer das Sputtern mindestens ein unbalanciertes Magnetron (3; 4) mit einer Magnetfeldstaerke von mindestens 35 kN/m verwendet wird.
The method involves using non-equilibrium magnetron with 35 kA/m magnetic field intensity for sputtering process. The electric potential of the anode is separated from the electric potential of substrate (1). The electric potential of film-forming chamber is used for magnetron sputtering.
Language
de
Patenprio
DE 102012012653 A1: 20120625