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Licht absorbierende Schichtstruktur

Light absorbing layer structure
 
: Dewald, Wilma; Szyszka, Bernd; Kastner, Albert; Schneider-Betz, Sabine; Schlott, Martin

:
Frontpage ()

DE 102012010803 A1: 20120601
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IST ()

Abstract
EP2669718A1 Bekannt sind Licht absorbierende, fuer einen Betrachter undurchlaessig erscheinende Schichtstrukturen, die eine dem Betrachter zugewandte vordere Schichtlage aus einer Matrix aus dielektrischem Metalloxid mit darin eingebetteten Partikeln aus elektrisch leitfaehigem Werkstoff in einer ersten mittleren Konzentration, und eine dem Betrachter abgewandte hintere Schichtlage aus einer Matrix aus dem Metalloxid und darin eingebetteten Partikeln aus dem elektrisch leitfaehigen Werkstoff in einer zweiten mittleren Konzentration, die hoeher ist als die erste mittlere Konzentration umfassen. Um Schichtstrukturen mit geringen Wechselwirkungen mit elektronischen Bauteilen und Signalleitungen anzugeben, die sich vorzugsweise durch DC-Sputtern herstellen lassen, wird erfindungsgemaess vorgeschlagen, dass das Metalloxid Nioboxid, Titanoxid, Molybdaenoxid, Wolframoxid oder Vanadiumoxid enthaelt.

 

A light-absorbing layered structure has a viewer turned front layer (S1) of a matrix containing dielectric metal oxide with embedded particles (M1) of electroconductive material in a primary average concentration, and a viewer turned away rear layer (S2) of a matrix containing embedded metal oxide particles (M2) of electroconductive material in a secondary average concentration which is more than the primary average middle concentration. The metal oxide includes niobium oxide, titanium oxide, molybdenum oxide, tungsten oxide or vanadium oxide.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-310933.html