Fraunhofer-Gesellschaft

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Zuverlässigkeitsuntersuchungen an einer hochtemperaturtauglichen SOI-CMOS-Technologie

 
: Dreiner, Stefan

Produktion von Leiterplatten und Systemen : PLUS (2014), Nr.6, S.1299-1308
ISSN: 1436-7505
Deutsch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IMS ()
Hochtemperaturelektronik; SOI; CMOS; Zuverlässigkeit; Drahtbonden; flip-chip

Abstract
Das Fraunhofer IMS entwickelt hochtemperaturtaugliche SOI-CMOS Prozesse mit minimalen Strukturgrößen von 1,0 µm bzw. 0,35 µm für den Betrieb bei 250 °C und mehr. Für die optimale Prozessentwicklung hin zu einem standardisierten Prozessablauf mit garantierter Funktionalität und Zuverlässigkeit bei hohen Temperaturen sind Simulationen von entscheidender Bedeutung.

 

The Fraunhofer IMS develops high-temperature compatible SOI CMOS processes with a minimum feature size of 1.0 µm or 0.35 µm for operation at 250 °C and more. For optimal process development towards a standardized process flow with guaranteed functionality and reliability at high temperatures simulations are of crucial importance.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-307172.html