Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Peculiarities of excitonic photoluminescence of selectively-doped GaAs/Al(0.25)Ga(0.75)As structures

Eigenheiten exzitonischer photolumineszenz von selektiv dotierten GaAs/Al(0.25)Ga(0.75)As Strukturen
 
: Kundrotas, J.; Asmontas, S.; Suziedelis, A.; Valusis, G.; Roskos, H.G.; Köhler, K.

Lithuanian journal of physics 43 (2003), Nr.6, S.449-452
ISSN: 1392-1932
ISSN: 1648-8504
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
III-V Halbleiter; III-V semiconductor; heterostructure; Heterostruktur; optical property; optische Eigenschaft

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-28327.html