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Title
Verfahren und Einrichtung zum plasmaaktivierten Hochrate-Bedampfen grossflaechiger Substrate
Date Issued
2004
Author(s)
Morgner, H.
Krug, M.
Mattausch, G.
Scheffel, B.
Patent No
2003-10318363
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren und eine Einrichtung zum plasmaaktivierten Hochrate-Bedampfen grossflaechiger Substrate im Vakuum, bei denen sich das Substrat gegenueber einer Verdampfereinrichtung befindet und zwischen Verdampfereinrichtung und Substrat ein inhomogenes, in Richtung Substrat divergierendes Magnetfeld erzeugt wird, im Bereich zwischen Verdampfereinrichtung und Substrat ein Plasma hoher Dichte erzeugt wird, Verdampfungsgut aus der Verdampfereinrichtung durch Einwirkung eines hochenergetischen Elektronenstrahles mit Elektronenenergien zwischen 10 keV und 100 keV verdampft wird, der Dampf teilweise durch Wechselwirkungen mit dem Plasma ionisiert wird und die Ionen im Bereich des inhomogenen Magnetfeldes in Richtung Substrat beschleunigt werden.
DE 10318363 A UPAB: 20050107 NOVELTY - Process for the plasma-activated high rate vaporization of a large surface substrate in a vacuum comprises producing a magnetic field (14) diverging in the direction of the substrate (1) between a vaporization unit and the substrate, producing a high energy plasma between the vaporization unit (3) and the substrate, vaporizing a vaporizing material using a high energetic electron beam having energies of 10-100 keV, partially ionizing the vapor with the plasma, and accelerating the ions in the direction of the substrate in the region of the magnetic field. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a vacuum coating installation for carrying out the process. USE - For the plasma-activated high rate vaporization of a large surface substrate in a vacuum. ADVANTAGE - High adhesion to the substrate is achieved.
Language
de
Patenprio
DE 2003-10318363 A: 20030423