Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Einrichtung zum Beschichten eines stationaer angeordneten Substrats durch Puls-Magnetron-Sputtern

Device for pulse magnetron sputtering used in thin layer technology for depositing multiple layers comprises a recipient with a vacuum generating system, two magnetron sputtering sources, a substrate holder, and a power supply unit.
 
: Frach, P.; Goedicke, K.; Gottfried, C.

:
Frontpage ()

DE 2003-10318364 A: 20030423
DE 2003-10318364 A: 20030423
WO 2004-EP2332 A: 20040308
DE 10318364 A1: 20041118
WO 2004094686 A3: 20050303
H01J0037
C23C0014
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer FEP ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine Einrichtung zum Puls-Magnetron-Sputtern, enthaltend einen Rezipienten mit Vakuumerzeugungssystem, zwei Magnetron-Sputterquellen, mindestens einen Substrathalter und eine Stromversorgungseinrichtung, wobei - der Rezipient in einer Schnittebene einen fuenfeckigen Querschnitt aufweist, der zumindest einen rechten Winkel umfasst, - an den zwei rechtwinklig zueinander stehenden Seitenwaenden je eine Magnetron-Sputterquelle angebracht ist, - die drei uebrigen Seitenwaende mit je einer Oeffnung und zugehoerigen Flanschen versehen sind, derart, dass zumindest eine Oeffnung einer gegenueber einer Magnetronquelle liegenden Seitenwand mit Vakuumflanschen gedichtet ist, die Mittel zur wahlfreien Positionierung des Substrathalters entweder direkt gegenueber der Mitte der gegenueberliegenden Magnetron- Sputterquelle oder parallel versetzt zu der Mitte der Quelle umfassen, - der Substrathalter mit Mitteln zur wahlfreien Positionierung der Substratmitte in einem variablen Abstand zu den Targetoberflaechen der Magnetron-Sputterquellen ausgestattet ist und - die Stromversorgungseinrichtung fuer die Magnetron-Sputterquellen mit Mitteln ausgestattet ist, die die Einspeisung unipolarer Leistungspulse mit einer Frequenz im Bereich von 1...100 kHz in jede der Quellen mit getrennt einstellbarer Leistung, getrennt einstellbarem Verhaeltnis von Puls-ein-Zeit zu Puls-aus-Zeit oder alternativ die Einspeisung von bipolaren Leistungspulsen mit einer Frequenz von 1...100 kHz ...

 

WO2004094686 A UPAB: 20041122 NOVELTY - Device for pulse magnetron sputtering comprises a recipient (1) with a vacuum generating system, two magnetron sputtering sources (7, 8), a substrate holder, and a power supply unit. The recipient has a pentagonal cross-section with at least one right angle. A magnetron sputtering source is mounted on each of the lateral walls (2-6) located at right angles to one another. The three remaining lateral walls are each provided with an opening and associated flanges. At least one opening of one lateral wall arranged opposite a magnetron source is sealed via vacuum flanges having devices for freely positioning the substrate holder either directly opposite the middle of the opposing magnetron sputtering source or offset parallel with respect to the middle of the source. The power supply unit has devices for the magnetron sputtering sources to permit the supply of unipolar power pulses having a frequency ranging from 1-100 kHz in each source with a separately settable power and with a separately settable pulse ratio. USE - Used in thin layer technology for depositing multiple layers. ADVANTAGE - Layers can be uniformly deposited.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-28269.html