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Modengekoppelte Halbleiterlaser-Pulsquelle

Mode-locked monolithic semiconductor laser pulse source for UHF applications has pulse repetition frequency determined by length ratio between amplifier section and absorber section.
 
: Kaiser, R.; Fidorra, S.; Heidrich, H.; Huettl, B.

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DE 2003-10322112 A: 20030510
DE 2003-10322112 A: 20030510
WO 2004-DE939 A: 20040504
EP 2004-730952 AW: 20040504
DE 10322112 A1: 20041202
EP 1625644 B1: 20060823
H01S0005
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Monolithisch integrierte, modengekoppelte Halbleiterlaser- Pulsquellen, die in Linearanordnung neben einer saettigbaren Absorbersektion und eine Verstaerkersektion noch eine Gitter-, Phasen- und Heizstreifensektion enthalten koennen, sind in unterschiedlicher Bauweise bekannt. Insbesondere bei ultrahochfrequenten Anwendungen ist eine hochgenaue Einstellung der erzeugbaren Pulsfolgefrequenz unter Erreichung minimaler Pulsbreiten bedeutsam. Herstellungsbedingte Abweichungen muessen daher nachtraeglich kompensiert werden, was jedoch in vielen Faellen nicht erreichbar ist, sodass die Produktionsausbeute entsprechend sinkt. Zur kostenguensigen und reproduzierbaren Herstellung derartiger Pulsquellen mit einer einfachen und zuverlaessigen Kompensation von Abweichungen in der erzeugten Pulsfolgefrequenz frep weist die Pulsquelle nach der Erfindung ein hochgenau vorgebbares Laengenverhaeltnis Gamma der Laenge Lgain der Verstaerkersektion zur Laenge Labsorb der Absorbersektion nach einer kontinuierlichen, genau definierten Geradengleichung Delta-frep = c - m × Gamma mit den streuwertbehafteten Konstanten c = 304 ± 50 und m = 61,4 ± 5 auf. Bei einer derartigen Dimensionierung kann zuverlaessig ein besonders grosser Abstimmbereich Delta-frep erzielt werden. Durch weitere konstruktive Massnahmen, insbesondere durch eine laterale Beschraenkung der Pulsquelle, durch die Verwendung galvanisch verstaerkter Luftbruecken zur Kontaktierung sowie durch eine elektronische und gleichzeitig thermische Feineinstellung ...

 

WO2004102753 A UPAB: 20050112 NOVELTY - The semiconductor laser pulse source has an integrated waveguide layer structure having a tuning region for the pulse repetition frequency, an amplifier section and an absorber section, the tuning region adjusting the pulse repetition frequency, in accordance with a linear function, by determining the length ratio between the amplifier section and the absorber section, the variation in the amplifier current matched by a variation in the absorber voltage. USE - The mode-locked monolithic semiconductor laser pulse source is used for providing pulse with a repetition frequency in the UHF range. ADVANTAGE - Economic pulse source with provision of constant minimal pulse width and precise compensation of variations in generated pulse repetition frequency.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-28249.html