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Verfahren und Vorrichtung zum Erzeugen einer elektrischen Kontaktierung zwischen zwei Halbleiterstuecken und Anordnung von Halbleiterstuecken

Connecting semiconductor chip or wafer sections, provides contact pin in recess between opposite faces which are pressed together to make local contact.
 
: Hacker, E.

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DE 2003-10323394 A: 20030520
DE 2003-10323394 A: 20030520
DE 10323394 A1: 20041223
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Eine elektrische Kontaktierung zwischen einem ersten Halbleiterstueck und einem zweiten Halbleiterstueck wird erzeugt, indem das erste Halbleiterstueck mit einer ersten Anschlussflaeche sowie einem Stift erzeugt wird, der sich in einer Ausnehmung des ersten Halbleiterstuecks erstreckt, auf der sich die erste Anschlussflaeche befindet. Ferner wird das zweite Halbleiterstueck mit einer zweiten Anschlussflaeche vorbereitet. Das erste Halbleiterstueck und zweite Wafer werden aufeinander gesetzt, so dass sich die erste Anschlussflaeche und die zweite Anschlussflaeche gegenueberliegen. Daraufhin wird auf den Stift ein Druck ausgeuebt, um eine elektrische Verbindung zwischen der ersten Anschlussflaeche und der zweiten Anschlussflaeche herzustellen.

 

DE 10323394 A UPAB: 20050117 NOVELTY - A semiconductor (100) is given a first connection face (118) and a pin (112) extending into a recess (110). A second semiconductor (102) is given a connection face (128). The semiconductors are stacked with the faces opposite each other. Pressure is exerted on the pin (112) forming a connection between the faces. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are included for equipment for making the connection as described, and the assembly so produced. USE - Used to connect semiconductor chip and/or wafer sections, producing stacked assemblies. ADVANTAGE - The process improves the electrical connection in stacked semiconductor assemblies. High localized pressure is exerted, improving over the poor- or non-existent contact between simply-stacked connecting areas. Very high mechanical pressures are achievable locally (e.g. 1000 bar), by exerting e.g. air pressure against the semiconductor. Heating may be applied in addition, to induce plastic flow and pin bonding.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-28241.html