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Verfahren zum Erzeugen einer relaxierten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat

Production of relaxed semiconductor layer on semiconductor substrate used in production of high frequency circuits comprises roughening surface of substrate by dry etching, and forming semiconductor layer on surface.
 
: Hacker, E.

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DE 2003-10325549 A: 20030605
DE 2003-10325549 A: 20030605
DE 10325549 A1: 20050113
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Bei einem Verfahren zum Erzeugen einer relaxierten Halbleiterschicht auf einem Halbleitersubstrat, wobei das Halbleitersubstrat ein erstes Halbleitermaterial mit einer ersten Kristallgitterkonstante aufweist und wobei die Halbleiterschicht ein zweites Halbleitermaterial mit einer zweiten Kristallgitterkonstante aufweist, wird das Halbleitersubstrat mit einer Oberflaeche bereitgestellt. Die Oberflaeche des Halbleitersubstrats wird mittels eines Trockenaetzverfahrens angerauht, um eine rauhe Oberflaeche zu erhalten. Auf der rauhen Oberflaeche des Halbleitersubstrats wird die Halbleiterschicht erzeugt.

 

DE 10325549 A UPAB: 20050202 NOVELTY - Production of a relaxed semiconductor layer on a semiconductor substrate comprises preparing the substrate with a surface, roughening the surface of the substrate by dry etching to form a roughened surface, and forming the semiconductor layer on the roughened surface. USE - Used in the production of high frequency circuits. ADVANTAGE - A uniform roughness is formed.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-28232.html