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Verfahren zum Verbinden einer Oberflaeche eines Halbleitersubstrats mit einer Oberflaeche eines Traegers

Forming releasable bond between semiconductor substrate and support comprises using a triethoxysilylalkylamine adhesive.
 
: Koethe, O.; Landesberger, C.

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DE 2003-10339998 A: 20030829
DE 2003-10339998 A: 20030829
DE 10339998 B3: 20050127
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Ein Halbleitersubstrat wird mit einem Traeger abloesbar verbunden, indem eine Haftschicht, die ein Haftmittel auf Ethoxysilylbasis aufweist, auf einer Oberflaeche des Halbleitersubstrats oder einer Oberflaeche des Traegers aufgebracht wird. Das Halbleitersubstrat und der Traeger werden zusammengefuegt, so dass die Haftschicht zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Traeger angeordnet ist. Daraufhin wird ein Aushaerten der Haftschicht durchgefuehrt, wodurch eine mechanische Verbindung zwischen dem Halbleitersubstrat und dem Traeger erzeugt wird.

 

DE 10339998 B UPAB: 20050211 NOVELTY - Forming releasable bond between semiconductor substrate and support comprises coating the substrate and/or support with an adhesive comprising a triethoxysilylalkylamine, placing the substrate and support together so the adhesive is between them, hardening the adhesive, and releasing the substrate from the support. USE - For temporarily holding the semiconductor substrate in place for processing, e.g. rear side metallization. ADVANTAGE - The adhesive bond can withstand high temperatures while still being reversible.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-28178.html