Fraunhofer-Gesellschaft

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Technologieentwicklung für optimiertes MEMS Packaging durch Si-TSV-Rückseitenkontaktierung

 
: Meinecke, C.; Hofmann, L.; Bertz, A.; Gottfried, K.; Gessner, T.

VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-; VDI/VDE Innovation+Technik, Berlin:
MikroSystemTechnik Kongress 2013. CD-ROM : Von Bauelementen zu Systemen; 14. - 16. Oktober 2013 in Aachen
Berlin: VDE-Verlag, 2013
ISBN: 978-3-8007-3555-6
ISBN: 3-8007-3555-5
S.713-716
MikroSystemTechnik Kongress <2013, Aachen>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer ENAS ()

Abstract
Dieser Beitrag beschreibt eine neuartige Technologie zur Realisierung von vertikalen elektrischen Durchführungen, die als elektrisch leitende Durchführung Silizium-Stempel benutzt, welche durch einen Luftspalt vom umgebenden Silizium isoliert sind. Diese Art von Si-Durchkontakten (though silicon vias – TSVs) ermöglicht neben den elektrischen und mechanischen Integrationsmöglichkeiten des MEMS eine gleichzeitige Verringerung der Größe des Sensorchips. Die Technologieentwicklung und -anpassung für die hochpräzisen Beschleunigungssensoren stehen hier im Vordergrund. Es wird gezeigt, dass strukturiertes Aufbringen (pattern plating) einer Bondgrundierung (under-bump-metallization – UBM) sowie das folgende Siliziumtiefenätzen der Rückseitenkontakte möglich ist. Somit steht eine Technologie zur Verfügung, die vollständig in MEMS-Fertigungstechnologie integrierbar ist.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-279291.html