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Chemisches Gasphasenätzen und laterales epitaktisches Überwachsen für kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen

 
: Drießen, Marion

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-2760247 (21 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 55a9099c70addf9995a2bc8071b7f684
Erstellt am: 12.2.2014

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2014, 183 S.
Zugl.: Konstanz, Univ., Diss., 2013
ISBN: 3-8396-0651-9
ISBN: 978-3-8396-0651-3
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISE ()
Si-Photovoltaik

Abstract
Kristalline Silicium-Dünnschichtsolarzellen, welche auf dem Ansatz des epitaktischen Waferäquivalents beruhen, vereinen Vorteile Wafer-basierter Silicium-Solarzellen und der Dünnschichttechnologie. In dieser Arbeit werden Gasphasenätzprozesse betrachtet, welche die Herstellung der epitaktischen Waferäquivalente vereinfachen. Der Prozess des lateralen epitaktischen Überwachsens wird untersucht, um eine verbesserte Optik und Effizienz zu erreichen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-276024.html