Abstract
Der anhaltende Trend in der optischen Lithographie zu kleineren Halbleiterstrukturen und damit zu immer kürzeren Lichtwellenlängen der Wafer-Stepper hat zur Folge, dass Verluste durch Streuung eine kritische Rolle einnehmen. Die aktuelle Roadmap der Halbleiterindustrie zielt gegenwärtig darauf ab, bis zum Zeitpunkt der Anwendungsreife der EUV-Lithographie (13nm) die Optimierung im DUV-Bereich bei 193nm bis an ihre Grenzen voranzutreiben (ohne dass dabei die Wiederaufnahme von Aktivitäten bei 157nm ausgeschlossen werden kann).