Options
Title
Verfahren zur Analyse des Erstarrungsverhaltens einer Siliziumschmelze zu einem Siliziumkristall
Date Issued
2011
Author(s)
Patent No
102011117411
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Analyse des Erstarrungsverhaltens einer Siliziumschmelze zu einem Siliziumkristall, folgende Verfahrensschritte umfassend: A. Bereitstellen eines Siliziumkristalls mit einem in Kristallisationsrichtung stufenartig verlaufenden Konzentrationsprofil eines Analysestoffes, indem i Siliziumgrundmaterial in einem Kristallisationsofen aufgeschmolzen wird und ii. durch Abkühlen der Siliziumschmelze eine Kristallisation mit einer durch die Siliziumschmelze während des Kristallisationsvorgangs hindurchlaufenden Erstarrungsfront erzielt wird und während des Kristallisationsvorgangs des Siliziumkristalls mehrmals eine vorgegebene Menge Analysestoff in die Siliziumschmelze zugegeben wird, um das stufenartig verlaufende Konzentrationsprofil zu erzeugen; B.; Ortsaufgeläste Messung der Konzentration des Analysestoffes in dem Siliziumkristall an einer Mehrzahl vorgegebener Messpunkte.
The invention relates to a method for analysing the solidification behaviour of a silicon melt to form a silicon crystal, comprising the following method steps: A. providing a silicon crystal having a concentration profile of an analysis substance, said concentration profile running in a stepped fashion in the crystallization direction, by a procedure in which i. silicon basic material is melted in a crystallization furnace and ii. crystallization with a solidification front running through the silicon melt during the crystallization process is obtained by cooling the silicon melt and, during the crystallization process of the silicon crystal, a predefined quantity of analysis substance is repeatedly added to the silicon melt in order to produce the concentration profile running in a stepped fashion; B. spatially resolved measurement of the concentration of the analysis substance in the silicon crystal at a plurality of predefined measurement points.
Language
de
Patenprio
DE 102011117411 A1: 20111102