Fraunhofer-Gesellschaft

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CMOS kompatible, nanomodifizierte Multi-Elektroden-Arrays

CMOS-compatible nano-modified multi-electrode-arrays
 
: Jupe, Andreas

VDE/VDI-Gesellschaft Mikroelektronik, Mikro- und Feinwerktechnik -GMM-; VDI/VDE Innovation+Technik, Berlin:
MikroSystemTechnik Kongress 2013. CD-ROM : Von Bauelementen zu Systemen; 14. - 16. Oktober 2013 in Aachen
Berlin: VDE-Verlag, 2013
ISBN: 978-3-8007-3555-6
ISBN: 3-8007-3555-5
S.592-595
MikroSystemTechnik Kongress <2013, Aachen>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IMS ()
Fraunhofer IKTS ()
Multi-Elektroden-Array; Kohlenstoff-Nanoröhre; CMOS compatible; Nanomodifikator

Abstract
Die Integration von Kohlenstoff-Nanoröhren (CNT) auf einem CMOS kompatiblen Multi-Elektroden-Array (MEA) wird vorgestellt. Im Rahmen des Projektes InMEAs (Integrierte nanomodifizierte Multi-Elektroden-Arrays) werden CNTs direkt auf einem hochtemperaturstabilen Basis-MEA abgeschieden. Dazu hat das Fraunhofer IMS eine 0.8 µm Bulk-Substrat CMOS-Technologie mit einer Wolfram-Metallisierung entwickelt, bei der die Schwellenspannung nach einem Temperschritt von 700 °C / 30 min vergleichsweise geringfügig verschoben ist. Durch Verwendung des Mischkatalysators PtFe konnte das Fraunhofer IKTS die Prozesstemperatur für die CNT-Abscheidung auf 620 °C reduzieren.

 

The integration of carbon nanotubes (CNT) on a CMOS compatible multi-electrode-array (MEA) is presented. Within the project InMEAs, CNTs are deposited directly on a high-temperature-stable MEA platform. The Fraunhofer IMS has developed a 0.8 µm bulk-substrate CMOS-technology based on tungsten metallization, in this case the threshold voltage is shifted only slightly after a temperature step of 700 °C / 30 min. By using the mixed catalyst PtFe the Fraunhofer IKTS could reduce the process temperature for CNT deposition to 620 °C.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-266626.html