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Neuartiger Pd-Gate-Feldeffekt-Transistor zur Wasserstoffdetektion

: Wöllenstein, J.; Moretton, E.; Stich, R.; Frerichs, H.P.; Wilbertz, C.; Freund, I.; Lehmann, M.

	VDI/VDE-Gesellschaft Meß- und Automatisierungstechnik -GMA-, Düsseldorf; Informationstechnische Gesellschaft -ITG-: Sensoren und Messsysteme 2004 : 12. GMA/ITG Fachtagung, 15.03.2004 - 16.03.2004 Düsseldorf: VDI-Verlag, 2004 (VDI-Berichte 1829) ISBN: 3-18-091829-2 S.715-718
	Fachtagung Sensoren und Messsysteme <12, 2004, Ludwigsburg>

	Deutsch
	Konferenzbeitrag
	Fraunhofer IPM ()
	chemischer Sensor; Wasserstoffsensor; Feldeffekttransistor; CMOS-Technik; Sicherheitstechnik

Abstract
Entwickelt wurde ein neuartiger Pd-Gate-MOSFET zur Wasserstoffdetektion. Der Herstellungsprozess zeichnet sich durch seine vollständige Kompatibilität mit einer Standard-0.5-Mikrometer-CMOS-Technologie aus. Dadurch wird eine äußerst preisgünstige Herstellung sowie die Integration von Auswerteelektronik in den Sensor-Chip möglich. Zielanwendungen für den Sensor liegen in der Sicherheitstechnik, z.B . der Leckageüberwachung. Der Sensor wurde bei verschiedenen Gasbeaufschlagungen (H2, H2O, N02, CO, CH4, H2S und NH3) charakterisiert. Eine - wenn auch geringe - Querempfindlichkeit konnte bei den Labormessungen nur auf Ammoniak und Schwefelwasserstoff beobachtet werden.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-26613.html