Eigenschaften amorpher transparenter leitfähiger Oxide (a-TCOs)

In diesem Beitrag werden die optischen und elektrischen Eigenschaften von amorphen transparenten leitfähigen Oxiden (a-TCOs) mit Hilfe der atomistischen Materialmodellierung analysiert. Die Untersuchung von Modellstrukturen mit Computersimulationen ermöglicht ein tieferes Verständnis der in der Realität auftretenden Phänomene. Im Fall der a-TCOs können tiefe Energieniveaus in der elektronischen Bandstruktur, die zum Beispiel die optische Transparenz reduzieren, strukturellen Defekten auf atomarer Ebene zugeordnet werden. Dies ermöglicht es, gezielt nach Strategien zur Ausheilung dieser Defekte zu suchen.

In this contribution the optical and electrical properties of amorphous transparent conductive oxides (a-TCOs) are analysed by means of atomistic material modelling. The investigation of model structures by computer simulations allows a deeper understanding of the physical phenomena. In the case of the a-TCOs deep energy levels in the electronic band structure, that reduce for example the optical transparency, can be linked to structural defects on the atomic scale. This allows a well-directed search for strategies which anneal these defects.