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Infrarothalbleiterlaser

Infrared semiconductor laser used in gas spectrometry comprises an active zone made from a III-V material having a specified thermal refractive index gradient.
 
: Lambrecht, A.

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DE 2002-10254190 A: 20021120
DE 2002-10254190 A: 20021120
WO 2003-EP10333 A: 20030917
DE 10254190 A1: 20040617
H01S0005
H01S0005
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Die Erfindung betrifft einen Infrarot-Halbleiterlaser mit mindestens einer aktiven Zone aus III-V-Material mit einem ersten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT und einem Lichtmodenbereich. Der Infrarot-Halbleiterlaser zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Lichtmodenbereich ein Material mit einem zweiten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT vorgesehen ist, dessen Vorzeichen dem des ersten thermischen Brechungsindexgradienten entgegengesetzt ist und/oder der einen mindestens doppelt so hohen Betrag hat. Die Erfindung betrifft weiter ein Verfahren zur Herstellung eines Infrarot-Halbleiterlasers mit: Bildung mindestens einer aktiven Zone aus III-V-Material mit einem ersten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT und Bildung eines Wellenleiters mit einem Lichtmodenbereich. Das Verfahren zeichnet sich dadurch aus, dass in dem Lichtmodenbereich ein Material mit einem zweiten thermischen Brechungsindexgradienten dn/dT angeordnet wird, dessen Vorzeichen dem des ersten thermischen Brechungsindexgradienten entgegengesetzt ist und/oder der einen mindestens doppelt so hohen Betrag hat. Die Erfindung betrifft weiterhin eine Telekommunikations- sowie Spektroskopiesytemkomponente mit einem entsprechenden oder entsprechend herstellten Halbleiterlaser sowie ein Telekommunikations- und Spektroskopiesystem mit der jeweiligen Komponente.

 

WO2004047244 A UPAB: 20040702 NOVELTY - Infrared semiconductor laser (1) comprises an active zone (2) made from a III-V material having a first thermal refractive index gradient dn/dT. A material (4) having a second thermal refractive index gradient dn/dT is provided in the light mode region (3) whose sign is opposite to that of the first thermal refractive index gradient and whose magnitude is twice as high. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) process for the production of an infrared semiconductor laser; (2) telecommunications component containing the above laser, (3) telecommunications system containing the above component; (4) spectroscopic component containing the laser; and (5) spectroscopic system containing the spectroscopic component. USE - Used in gas spectrometry. ADVANTAGE - The optimum temperature dependency of the wavelength is achieved.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-24883.html