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Epitaxie von AlGaN-basierten Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich

 
: Gutt, Richard

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-2236537 (12 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 5d8f74cdb839554c326172cbee8795d7
Erstellt am: 12.1.2013

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2012, VI, 175 S.
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2012
Science for systems, 6
ISBN: 3-8396-0437-0
ISBN: 978-3-8396-0437-3
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()
Halbleitertechnologie; Optoelektronik

Abstract
Im Rahmen dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet. Die Reduzierung der Versetzungsdichte bei der heteroepitaktischen Abscheidung der AlGaN-Schichten in Verbindung mit einer effektiven Abschirmung der Ladungsträger von den verbleibenden Versetzungslinien führt zu einer maßgeblichen Steigerung der strahlenden Ladungsträgerrekombination im aktiven Bereich. Da die Löcherleitung in p-dotierten AlGaN-Schichten fundamentalen Grenzen unterliegt, ist für eine hinreichende Ladungsträgerinjektion eine Optimierung des Heterostrukturdesigns und insbesondere der Positionierung der p-Dotierung in Bezug auf den aktiven Bereich notwendig. Die Lichtextraktion lässt sich in "flip-chip" aufgebauten LEDs durch eine Anpassung des Abstandes des reflektiven p-seitigen Metallkontaktes zum aktiven Bereich signifikant erhöhen. All diese Aspekte werden umfassend dargestellt - neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird dabei der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-223653.html