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2012
Doctoral Thesis
Titel
Epitaxie von AlGaN-basierten Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich
Abstract
Im Rahmen dieser Dissertation werden die entscheidenden Schritte für die Realisierung hocheffizienter AlGaN-basierter Leuchtdioden für den UV-A-Wellenlängenbereich erarbeitet. Die Reduzierung der Versetzungsdichte bei der heteroepitaktischen Abscheidung der AlGaN-Schichten in Verbindung mit einer effektiven Abschirmung der Ladungsträger von den verbleibenden Versetzungslinien führt zu einer maßgeblichen Steigerung der strahlenden Ladungsträgerrekombination im aktiven Bereich. Da die Löcherleitung in p-dotierten AlGaN-Schichten fundamentalen Grenzen unterliegt, ist für eine hinreichende Ladungsträgerinjektion eine Optimierung des Heterostrukturdesigns und insbesondere der Positionierung der p-Dotierung in Bezug auf den aktiven Bereich notwendig. Die Lichtextraktion lässt sich in "flip-chip" aufgebauten LEDs durch eine Anpassung des Abstandes des reflektiven p-seitigen Metallkontaktes zum aktiven Bereich signifikant erhöhen. All diese Aspekte werden umfassend dargestellt - neben der systematischen Optimierung des Bauelementes wird dabei der physikalischen Beschreibung der zugrunde liegenden Mechanismen besondere Aufmerksamkeit geschenkt.
ThesisNote
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2012