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Konzeption und Charakterisierung von Rippenwellenleiterlasern auf Si-Substrat basierend auf dem gitterangepassten Ga(NAsP)/(B)GaP-Materialsystem

 
: Rogowsky, Stephan
: Ambacher, Oliver

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-2100644 (17 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: c1c535aefe5f6fb1bbf3726d038304b7
Erstellt am: 25.8.2012

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2012, III, 161 S.
Zugl.: Freiburg/Brsg., Univ., Diss., 2012
Science for systems, 5
ISBN: 3-8396-0413-3
ISBN: 978-3-8396-0413-7
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer IAF ()
Angewandte Forschung; applied research

Abstract
Eines der Schlüsselelemente zur Realisierung von CMOS kompatiblen opto-elektronisch integrierten Schaltkreisen ist die Entwicklung eines Lasers auf Siliziumsubstrat, der die Möglichkeit zur optischen Datenübertragung auf Chip-zu-Chip-Ebene ermöglicht. Ein Weg einen solchen Laser umzusetzen, ist die Kombination der klassischen Siliziumtechnologie mit der der III-V-Verbindungshalbleiter. Im Rahmen dieser Arbeit werden daher auf dem neuartigen Ga(NAsP)-Materialsystem basierende Laserschichtfolgen analysiert. Optische und elektrische Materialeigenschaften der Halbleiterverbindungen BGaP und BGaAsP werden dabei mittels hochauflösender Röntgenbeugung, Raman-Spektroskopie und spektroskopischer Ellipsometrie untersucht. Darauf aufbauend werden elektrisch gepumpte Rippenwellenleiterlaser mit geätzten Spiegelfacetten auf Si-Substrat mittels photolithographischer Prozessierung hergestellt und anschließend charakterisiert. Simulationen von Wellenleitereigenschaften der Rippenwellenleiter hinsichtlich optischer Verluste und thermischer Erwärmung dienen dabei dem Vergleich unterschiedlicher Laserschichtstrukturen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-210064.html