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Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz

 
: Bach, H.-G.; Behling, A.

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DE 102005051571 A: 20051021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Die Erfindung betrifft einen Photodioden-Chip hoher Grenzfrequenz mit einem Leitungsübergang vom aktiven Photodiodenbereich eines Photodioden-Mesas zum Ausgangs-Pad des Hochfrequenzausgangs des Photodioden-Chips. DOLLAR A Es bestand Bedarf, beim Bandbreitefaktor von Photodioden-Chips nach weiteren Steigerungen zu suchen. DOLLAR A Vorgeschlagen wird hierzu, dass die Verbindung vom Photodioden-Mesa zum Ausgangs-Pad mit einer hochohmigen Leitung mit über deren Länge verteilter Impedanz (Zline) realisiert ist, die mindestens so hoch ist wie die am Ausgangs-Pad wirksame Lastimpedanz (Zload).

 

The invention relates to a photodiode chip which has a great limit frequency and a junction from the active photodiode area of a photodiode mesa to the output pad of the high-frequency output of the photodiode chip. The aim of the invention is to further increase the bandwidth factor of photodiode chips. Said aim is achieved by establishing the connection from the photodiode mesa to the output pad by means of a high-resistance wire with impedance (Zleitung) which is spread across the length thereof and is at least as high as the load impedance (Zlast) effective at the output pad.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-201711.html