Options
Title
Halbleiterbauteil mit defektreicher Schicht zur optimalen Kontaktierung von Emittern sowie Verfahren zu dessen Herstellung
Date Issued
2010
Author(s)
Patent No
102010020175
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauteil aus einem Halbleitermaterial, das eine an einer Oberfläche des Halbleiterbauteils angeordnete defektreiche Halbleiterschicht mit einer Defektkonzentration von mindestens 103 Defekten pro cm2 aufweist. Ebenso betrifft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung des vorgenannten Halbleiterbauteils, bei dem eine Halbleiterschicht durch physikalische oder chemische Gasphasenabscheidung auf das Halbleitermaterial aufgetragen und in einem weiteren Arbeitsschritt, z. B. während der Gasphasenabscheidung oder im Anschluss daran, versintert wird. Im Anschluss daran wird die gewünschte Defektkonzentration in der aufgetragenen Halbleiterschicht eingestellt.
Language
de
Patenprio
DE 102010020175 A