Fraunhofer-Gesellschaft

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Versetzungsverhalten bei der Homoepitaxie von hexagonalem Siliziumkarbid (4H-SiC)

 
: Kallinger, Birgit

:
Volltext urn:nbn:de:0011-n-1863325 (10 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: 7f8eaa768f18dc03261f158e8f832457
Erstellt am: 6.12.2011


Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2011, XI, 206 S.
Zugl.: Erlangen-Nürnberg, Univ., Diss., 2011
ISBN: 3-8396-0342-0
ISBN: 978-3-8396-0342-0
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer IISB ()
Halbleiter mit grosser Bandlücke; Leistungselektronik; Epitaxie; Kristalldefekt; Defektcharakterisierung

Abstract
In dieser Dissertation wird das homoepitaktische Wachstum von 4H-Siliziumkarbidschichten auf unterschiedlich verkippten Substraten untersucht. Weitere Schwerpunkte liegen auf dem Verhalten der Versetzungen, speziell der Basalflächenversetzungen, bei der Epitaxie sowie auf der dotierungsinduzierten Fehlpassung zwischen Substrat und Schicht. Darüber hinaus wird das Charakterisierungsverfahren des defektselektiven Ätzens in einer Vergleichsstudie mittels Synchrotron-Röntgentopographie verifiziert.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-186332.html