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Niedrigtemperatur-Direktbonden von Silizium-, Borosilikat- und Quarzglaswafern und der Einfluss von Funktionsschichten

Low-temperature direct bonding of silicon, borosilicate and fused silica wafer and the effect of functional coatings
 
: Eichler, M.; Hennecke, P.; Michel, B.; Klages, C.-P.

Schlaak, H.F. ; Bundesministerium für Bildung und Forschung -BMBF-, Deutschland; Verband der Elektrotechnik, Elektronik, Informationstechnik -VDE-:
MikroSystemTechnik Kongress 2011 : 10.-12. Oktober 2011, Darmstadt
Berlin: VDE-Verlag, 2011
ISBN: 978-3-8007-3367-5
S.630-633
Konferenz "Systems Integration - Mikrosystemtechnik-Lösungen im Gebäude der Zukunft" <4, 2011, Dortmund>
MikroSystemTechnik Kongress <2011, Darmstadt>
Deutsch
Konferenzbeitrag
Fraunhofer IST ()

Abstract
Dieser Beitrag beschäftigt sich mit Untersuchungen zum Anstieg der Bondenergie in situ während des Temperns für das Direktbonden bei niedrigen Temperaturen von blanken Silizium-, Borosilikat- und Quarzglas-Wafern. Ziel der Arbeiten ist es, den Einfluss der Aktivierung der Bondoberflächen mittels Atmosphärendruck-Plasmen vor dem Bonden zu untersuchen. Für die Optimierung der Plasmaaktivierung werden die erreichten Bondenenergien für verschiedene Prozessgase und Prozessgasgemische verglichen. Weiterhin wird der zeitliche und temperaturabhängige Verlauf der Bondenenergiekurven diskutiert und auf physikalische und chemische Vorgänge im Bondinterface geschlossen.

 

The contribution describes the increase of surface energy in situ during annealing for the bonding at low temperatures of bare silicon, borosilicate and fused silica wafers. The aim of the study is to investigate the effect of bonding surface activation using atmospheric pressure plasma before bonding. For the optimization of the plasma activation the achieved bonding energies using different process gases and process gas mixtures are compared. Furthermore, the time and temperature-dependent characteristics of the surface energy curves are discussed. From this physical and chemical processes in the bonding interface are concluded.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-185680.html