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Physikalisch-chemische Eigenschaften von SiO2-Schichten auf plasmabehandelten Siliziumoberflächen

 
: Michel, B.

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-1833570 (1.9 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: ccf2025c19e02c2751ff79b52327385b
Erstellt am: 19.11.2011

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2011, XXII, 177 S.
Zugl.: Braunschweig, TU, Diss., 2011
Berichte aus Forschung und Entwicklung, 34
ISBN: 3-8396-0319-6
ISBN: 978-3-8396-0319-2
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer IST ()
Angewandte Forschung; applied research

Abstract
Die Verkapselung von Mikrosystemen auf Waferebene durch das Substratbonden stellt einen wesentlichen Beitrag zur Rationalisierung des MEMS-Herstellungsprozesses dar. Der Einsatz des Direktbondens ist hierbei gegenüber anderen Bondverfahren insofern vorteilhaft, als dass keine zusätzlich aufzubringenden Adhäsivschichten erforderlich sind. Durch eine geeignete Plasmaaktivierung der Oberflächen vor dem Bonden können bei 200 °C Annealingtemperatur bereits ausreichend hohe Bondfestigkeiten für die industrielle Anwendung erreicht werden.
In dieser Arbeit werden Veränderungen chemischer und physikalischer Eigenschaften der nativen Siliziumoxidschicht unter Einfluss eines Atmosphärendruckplasmas (i.e. einer dielektrisch behinderten Entladung, DBD) untersucht.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-183357.html