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Title
Organischer Feldeffekttransistor und Verfahren zur Herstellung desselben
Date Issued
2009
Author(s)
Bock, K.
Tetzner, K.
Patent No
102009047315
Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines organischen Feldeffekttransistors. Dabei wird eine Substratanordnung bereit gestellt, die einen Traeger mit einer ersten Leiterstruktur und eine zwischen dem Traeger und einer zweiten Leiterstruktur angeordnete Hafniumoxidschicht aufweist. Die zweite Leiterstruktur weist eine erste Teilleiterstruktur und eine zweite Teilleiterstruktur auf, die elektrisch voneinander isoliert sind, so dass zumindest ein Bereich der Hafniumoxidschicht frei liegt. Die erste Teilleiterstruktur ist als ein Source-Bereich des organischen Feldeffekttransistors ausgebildet, die zweite Teilleiterstruktur ist als ein Drain-Bereich des organischen Feldtransistors ausgebildet. Die Hafniumoxidschicht ist als eine Dielektrikumsschicht des organischen Feldeffekttransistors ausgebildet und die erste Leiterstruktur ist als ein Gate-Bereich des organischen Feldeffekttransistors ausgebildet. Der bezueglich der Hafniumoxidschicht freiliegende Bereich wird mit einer selbstanordnende Molekuele aufweisenden Loesung in Kontakt gebracht, wobei ein selbstanordnendes Molekuel eine Molekuelkette mit einer Ankergruppe, einem auf die Ankergruppe folgenden aliphatischen Spacer und einem auf den aliphatischen Spacer folgenden halbleitenden Kern aufweist, um in dem bezueglich der Hafniumoxidschicht freiliegenden Bereich zwischen dem Source-Bereich und dem Drain-Bereich eine halbleitende Schicht mittels der halbleitenden Kerne der selbstanordnenden ...
DE 102009047315 A1 UPAB: 20110629 NOVELTY - The method involves providing a conductor structure with two partial conductor structure, and designing hafnium oxide as a dielectric layer of an organic field effect transistor. A self-assembled molecule is provided with a molecular chain including an anchor group. An aliphatic spacer is provided on the anchor group, and a semiconductor core is provided on the aliphatic spacer. A semiconductor layer is formed in a region between a source-region and drain-region by the semiconductor core of the self-assembled molecule, where the region is exposed with respect to the hafnium oxide. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are also included for the following: (1) a method for manufacturing a printed circuit board (2) an organic field effect transistor comprising a substrate arrangement. USE - Method for manufacturing an organic field effect transistor of a printed circuit board (claimed). ADVANTAGE - The method enables manufacturing the organic field effect transistor in simple and cost effective manner.
Language
de
Patenprio
DE 102009047315 A: 20091130