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Poren aufweisender n-dotierter Siliziumkoerper sowie Verfahren zu seiner Herstellung

Method for manufacturing n-doped silicon body utilized in article for e.g. electrical purposes to determine chemical molecules, involves manufacturing body from crystalline Neutron-Transmutation-Doped silicon
 
: Wehrspohn, R.; Martin, A.; Schweizer, S.

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DE 102009042321 A: 20090921
DE 102009042321 A: 20090921
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IWM ()
Fraunhofer ISE ()

Abstract
(A1) Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines mit Poren versehenen n-dotierten Siliziumkoerpers, umfassend (a) das Vorstrukturieren der Oberflaeche des Koerpers, derart, dass Vertiefungen als Startpunkt fuer das spaetere Porenwachstum entstehen, sowie (b) das elektrochemische Aetzen mindestens eines Teils der angeaetzten Oberflaeche, wobei der Siliziumkoerper als Anode geschaltet in einem fluoridhaltigen, sauren Elektrolyten eingetaucht ist, dadurch gekennzeichnet, dass als n-dotierter Siliziumkoerper ein Koerper eingesetzt wird, der unter Verwendung von kristallinem NTD-Silizium hergestellt wurde. Die auf diese Weise hergestellten poroesen Siliziumkoerper zeichnen sich dadurch aus, dass ihre Porendurchmesser eine geringere Schwankungsbreite aufweisen als diejenigen von Koerpern, die aus mit Phosphor n-dotiertem Silizium hergestellt sind. Diese Koerper sind daher fuer eine Vielzahl von Anwendungen besonders gut geeignet, bei denen die Gleichmaessigkeit der Siliziumoberflaeche eine wesentliche Rolle spielt, beispielsweise fuer Bragg-Spiegel oder photonische Kristalle.

 

DE 102009042321 A1 UPAB: 20110418 NOVELTY - The method involves pre-structuring a surface of a body such that recesses develop as starting points for later pore growth. A part of the surface is electro-chemically etched. The body is switched as an anode and dipped into a fluoride-containing acid electrolyte. The body is manufactured from crystalline Neutron-Transmutation-Doped (NTD) silicon. A side of the silicon body fixed opposite to the surface is illuminated during etching process, where the etching takes place with fixed voltage. The silicon body is provided with pores. USE - Method for manufacturing an n-doped silicon body (claimed) utilized in an article for optical, electro-optical or electrical purposes to determine chemical molecules. ADVANTAGE - The method enables recognizing pore diameter fluctuations even with naked eye, thus ensuring higher uniformity of the pores independent of shape and geometry, and hence ensuring increased regularity of middle pore diameter.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-159129.html