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Untersuchung der Auflösungsgrenzen eines Variablen Formstrahlelektronenschreibers mit Hilfe chemisch verstärkter und nicht verstärkter Negativlacke

 
: Steidel, K.

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Volltext urn:nbn:de:0011-n-1565873 (5.5 MByte PDF)
MD5 Fingerprint: b895c410e68650bc706fdb6ce9714317
Erstellt am: 10.6.2011

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Stuttgart: Fraunhofer Verlag, 2011, III, 131 S.
Zugl.: Dresden, TU, Diss., 2010
ISBN: 3-8396-0210-6
ISBN: 978-3-8396-0210-2
Deutsch
Dissertation, Elektronische Publikation
Fraunhofer CNT ()
Institut; Firma; Mikroelektronik; Nanoelektronik

Abstract
In der Elektronenstrahllithografie existieren die Belichtungskonzepte Gaussian-Beam und Variable-Shaped-Beam (VSB), die bisher auf Hochauflösung respektive Durchsatz optimiert sind. In dieser Arbeit wird der experimentelle Kreuzvergleich beider Belichtungskonzepte mit Hilfe chemisch verstärkter und nicht verstärkter Lacksysteme präsentiert. Als quantitativer Parameter wurde die Gesamtunschärfe eingeführt, die sich durch quadratische Addition der auflösungslimitierenden Fehlerquellen, also Coulomb-Wechselwirkungen (Strahlunschärfe), Lackprozess (Prozessunschärfe) und Proximity-Effekt (Streuunschärfe), ergibt. Grundlage ist die Anpassung oder Neuentwicklung spezieller Methoden wie Kontrast- und Basedosebestimmung, Doughnut-Test, Isofokal-Dosis-Methode für Linienbreiten und Linienrauheit sowie die Bestimmung der Gesamtunschärfe unter Variation des Fokus. Es wird demonstriert, dass sich mit einer kleineren Gesamtunschärfe die Auflösung dichter Linien verbessert. Der direkte Vergleich der Gesamtunschärfen beider Belichtungskonzepte wird durch die variable Strahlunschärfe bei VSB-Schreibern erschwert. Es wird gezeigt, dass die Prozessunschärfe den größten Anteil der Gesamtunschärfe stellt. Außerdem spielt die Streuunschärfe bei Lackdicken kleiner 100 nm und Beschleunigungsspannungen von 50 kV oder größer keine Rolle.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-156587.html