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65 GHz bandwidth optical receiver combining a flip-chip mounted waveguide photodiode and GaAs-based HEMT distributed amplifier

Aus einer Wellenleiter-Photodiode, sowie einem in GaAs-HEMT-Technologie realisiertem verteilten Verstärker mittels Flip-Chip-Technologie hergestelltem Photoempfänger mit 65 GHz Bandbreite
 
: Leich, M.; Hurm, V.; Sohn, J.; Feltgen, T.; Bronner, W.; Köhler, K.; Walcher, H.; Rosenzweig, J.; Schlechtweg, M.

:

Electronics Letters 38 (2002), Nr.25, S.1706-1707
ISSN: 0013-5194
Englisch
Zeitschriftenaufsatz
Fraunhofer IAF ()
photoreceiver; Photoempfänger; waveguide photodiode; Wellenleiterphotodiode; distributed amplifier; verteilter Verstärker; TWA; optical communication; optische Datenübertragung

Abstract
Hybrid integrated photoreceivers with up to 65 GHz bandwidth are presented. They consist of GalnAs/AlGalnAs/AlInAs multimode waveguide photodiodes, flip-chip bonded on GaAs-based pseudomorphic HEMT distributed amplifiers with a very low input impedance. The overall O/E conversion gain is as high as 120 V/W at 1.55 µm wavelength.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-14817.html