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2010
Journal Article
Titel
Kollektorbeschichtungen für die EUV-Lithographie
Titel Supplements
Atomlagengenaue Mo/Si Interferenzschichtsysteme
Alternative
Collector coatings for EUV lithography
Abstract
Die Extrem-Ultraviolett-Lithografie (EUVL) bei einer Wellenlänge von 13,5 nm (14-mal kleiner als bei aktuellen Lithografiesystemen) stellt eine innovative Methode dar, integrierte Schaltkreise mit strukturbreiten <gleich 22 nm herzustellen [1]. Die vorliegende Arbeit demonstriert die erfolgreiche Beschichtung des derzeit weltgrößten Kollektorspiegels für die EUVL mit einem Durchmesser von 660 mm (Abb. 1). Um den geforderten Reflexionsgrad von mehr als 65 % auf dem Kollektor zu realisieren, wurde dieser mit einem hochreflektierenden Interferenzschichtsystem versehen. Die Beschichtung ist mittels DC-Magnetronsputtertechnologie an der Beschichtungsanlage "NESSY" durchgeführt worden. Der erzielte Reflexionsgrad lag bei mehr als 65 % für Radien bis zu 220 mm. Für Radien zwischen 230 mm und 320 mm nahm der Reflexionsgrad auf 58 % ab. Die angestrebte Wellenlänge blieb über die gesamte Kollektoroberfläche konstant bei (13,50 ± 0,05) nm und liegt somit innerhalb der Spezifikation für die kommerzielle Nutzung.