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Verfahren zur Strukturierung einer Nutzschicht eines Substrats

Method for structuring device layer of substrate used in micromechanical structure for e.g. one-dimensional scanner, involves reducing thickness of device layer, to preset thickness at positions where intermediate layer is removed
 
: Drabe, C.; Klose, T.

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DE 102008026886 A: 20080605
DE 102008026886 A: 20080605
B81C0001
B81B0001
B81B0003
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer IPMS ()

Abstract
(A1) Verfahren zur Strukturierung einer Nutzschicht eines Substrats, wobei das Substrat eine Traegerschicht, die Nutzschicht und eine zwischen der Traegerschicht und der Nutzschicht angeordnete Zwischenschicht umfasst. Die Zwischenschicht ist dabei strukturiert, um zumindest in einem Abschnitt eine erste Oberflaeche der Traegerschicht, die der Nutzschicht zugewandt ist, freizulegen. Ausgehend von einer zweiten Oberflaeche der Traegerschicht, die der ersten Oberflaeche gegenueberliegt, wird die Dicke der Nutzschicht an jenen Stellen, an denen die Zwischenschicht entfernt ist, auf eine vorbestimmte Dicke reduziert.

 

US 20090303563 A1 UPAB: 20100101 NOVELTY - An intermediate layer (130) is formed between the carrier layer (120) and device layer (110). The intermediate layer is structured for exposing the surface of the carrier layer facing the device layer. The thickness of the device layer is reduced to predetermined thickness (126) at positions where the intermediate layer is removed. DETAILED DESCRIPTION - INDEPENDENT CLAIMS are included for the following: (1) method for producing micromechanical structure; and (2) micromechanical structure. USE - Method for structuring device layer of substrate e.g. bonded silicon on insulator (BSOI) wafer used in micromechanical structure (claimed) for data acquisition microsystem e.g. one-dimensional scanner, two-dimensional scanner and microscopy, data output microsystem e.g. laser display, laser projector, laser printer and illuminator, optical path manipulation microsystem e.g. spectrometer and path length modulator, pressure, acceleration and viscosity sensors and micromechanical gear element (all claimed) e.g. gear wheel or clock anchor. ADVANTAGE - The thickness of the device layer is reduced to predetermined thickness at positions where the intermediate layer is removed without necessitating lithography process and expensive control process.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-118922.html