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Title
Substrat mit einer Kupfer enthaltenden Beschichtung und Verfahren zu deren Herstellung mittels Atomic Layer Deposition
Date Issued
2007
Author(s)
Gessner, T.
Schulz, S.
Wächtler, T.
Lang, H.
Jakob, A.
Patent No
102007058571
Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung eines beschichteten Substrats mit einer Beschichtung aus Kupfer bzw. einer Kupfer enthaltenden Beschichtung mittels Atomlagenabscheidung (ALD). Hierfür wird als Kupfer-Precursor ein Fluor-freier Kupfer (I)-Komplex der Formel $I1 eingesetzt, bei dem L ein sigma-Donor-pi-Akzeptor oder ein sigma,pi-Donor-pi-Akzeptor Ligand ist und bei dem $I2 ein zweizähniger Ligand ist, nämlich ein beta-Diketonat, ein beta-Ketoiminat, ein beta-Diiminat, ein Amidinat, ein Carboxylat oder ein Thiocarboxylat.
DE 102007058571 A1 UPAB: 20090629 NOVELTY - Producing a copper-coated substrate comprises applying a fluorine-free copper(I) complex to the substrate by atomic layer deposition and optionally treating the substrate with a reducing agent. DETAILED DESCRIPTION - Producing a copper-coated substrate comprises applying a fluorine-free copper(I) complex of formula L2Cu(X-X) to the substrate by atomic layer deposition and optionally treating the substrate with a reducing agent. L = a sigma -donor/ pi -acceptor or sigma , pi -donor/ pi -acceptor ligand; X-X = a bidentate beta -diketonate, beta -ketoiminate, beta -diiminate, amidinate, carboxylate or thiocarboxylate ligand. An INDEPENDENT CLAIM is also included for a substrate with a 2-30 nm thick coating produced as above. USE - The process is useful for producing microelectronic contact and conductor systems or thin layer solar cells (claimed). ADVANTAGE - Adhesion problems associated with the use of fluorine-containing complexes are avoided (compare US6482740).
Language
de
Patenprio
DE 102007058571 A: 20071205