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Verfahren zum Fertigen einer Silizium-Solarzelle mit einem rueckgeaetzten Emitter sowie entsprechende Solarzelle

 
: Hahn, G.; Haverkamp, H.; Raabe, B.; Dastgheib-Shirazi, A.; Bock, F.

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DE 102007062750 A: 20071227
DE 102007062750 A: 20071227
H01L0031
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ZV, Abteilung Patente und Lizenzen ()

Abstract
(A1) Es wird ein Verfahren zum Fertigen einer Silizium-Solarzelle mit einem rueckgeaetzten, vorzugsweise mit einem selektiven Emitter und eine entsprechende Solarzelle vorgestellt. Gemaess einem Aspekt umfasst das Verfahren die folgenden Verfahrensschritte: Erzeugen eines flaechigen Emitters (5) an einer Emitteroberflaeche eines Solarzellensubstrats (21); Aufbringen einer Aetzbarriere (25) auf erste Teilbereiche (7) der Emitteroberflaeche; Aetzen der Emitteroberflaeche in nicht von der Aetzbarriere (25) bedeckten zweiten Teilbereichen (9) der Emitteroberflaeche; Entfernen der Aetzbarriere (25) und Erzeugen von Metallkontakten (17) an den ersten Teilbereichen (7). Vorteilhafterweise wird waehrend des Verfahrens, insbesondere beim Aetzen der Emitteroberflaeche in den zweiten Teilbereichen eine poroese Siliziumschicht erzeugt, die anschliessend aufoxidiert wird. Diese aufoxidierte poroese Siliziumschicht kann nachfolgend zusammen mit eventuell vorhandenem Phosphorglas (23) weggeaetzt werden. Das Verfahren bedient sich herkoemmlicher Siebdruck- und Aetztechnologien und ist somit kompatibel mit derzeitigen industriellen Fertigungsanlagen.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-106446.html