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Verfahren zur Bestimmung der Justagegenauigkeit beim Waferbonden

Alignment accuracy determining method for use during connection of microelectromechanical system wafers, involves deriving alignment accuracy from measured electrical characteristics of lower contact-structure and upper contact structure
 
: Merz, P.; Reimer, K.; Lorenz, F.

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DE 102008004011 A1: 20080111
DE 102008034448 A: 20080724
H01L0023
H01L0021
Deutsch
Patent, Elektronische Publikation
Fraunhofer ISIT ()

Abstract
(A1) Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Bestimmung der Justagegenauigkeit beim Waferbonden, bei dem auf einer Seite des ersten Wafers, die beim Verbinden zum zweiten Wafer gerichtet ist, mindestens eine elektrisch leitfaehige Teststruktur aufgebracht wird und auf einer zweiten Seite des zweiten Wafers, die beim Verbinden zum ersten Wafer gerichtet ist, mindestens ein elektrisch leitfaehiges Testelement an einer Stelle aufgebracht wird, die nach dem Verbinden der beiden Wafer im Bereich der Teststruktur liegt. Die Teststruktur ist so ausgebildet, dass sie bei wenigstens zwei unterschiedlichen relativen Lagen von Teststruktur und Testelement unterschiedliche elektrische Eigenschaften aufweist, die nach dem Verbinden der beiden Wafer ueber mindestens zwei Anschlusselemente messbar sind. Die elektrischen Eigenschaften der Teststruktur werden ueber die mindestens zwei Anschlusselemente gemessen, um aus den gemessenen elektrischen Eigenschaften die Justagegenauigkeit abzuleiten. Das vorgeschlagene Verfahren ermoeglicht eine schnelle und automatisierte Bestimmung der Justagegenauigkeit beim Waferbonden.

 

DE 102008034448 A1 UPAB: 20090803 NOVELTY - The method involves designing a lower contact-structure (10) such that the contact structure exhibits two different relative positions and an upper contact structure (9) of different electrical characteristics. The characteristics are measurable at a lower wafer (1) and upper wafer (2) i.e. covering wafer, via one of connection pads (12) after connection of wafers. The electrical characteristics of the lower contact structure are measured via the pads after the connection, and alignment accuracy is derived from the measured electrical characteristics of the lower and upper structures. USE - Method for determining alignment accuracy during connection of two wafers i.e. microelectromechanical system (MEMS) wafers, by wafer bonding, for manufacturing a micromechanical or microelectromechanical component (all claimed), MEMS and an integrated circuit i.e. Application specific integrated circuit (ASIC). ADVANTAGE - The method enables determination of alignment accuracy in a fast and automatic manner integrated in the manufacturing process of the integrated circuits or microelectromechanical system, during connection of two wafers.

: http://publica.fraunhofer.de/dokumente/N-106376.html