Fraunhofer-Gesellschaft

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Determination of the band-edge offset in heterojunctions by electron beam induced current - GaAs/GaAlAs.

Bestimmung der Bandverschiebung in Doppelheterostrukturen durch elektronenstrahlinduzierten Strom - GaAs/GaAlAs
 
: Eisenbeiss, A.; Heinrich, H.; Opschoor, J.; Tijburg, R.P.; Preier, H.M.

:

Applied Physics Letters 50 (1987), No.22, pp.1583-1585 : Abb.,Tab.,Lit.
ISSN: 0003-6951 (Print)
ISSN: 1077-3118
English
Journal Article
Fraunhofer IPM ()
Bandverschiebung; Heterogrenzfläche; Strom(elektronenstrahlinduziert)

Abstract
Der durch einen Elektronenstrahl induzierte Strom (EBIC) wurde fuer eine GaAs/Ga tief 0,84 A1 tief 0,52 As-Heterogrenzflaeche als Funktion einer externen Vorspannung gemessen. Bei fehlender Grenzschichtladung wurde die Flachbandspannung gemessen und die Bandverschiebung ermittelt. Fuer die Valenzbandkante ergab sich eine Verschiebung von 5,5 meV/% Al. (IPM)

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-9472.html