Fraunhofer-Gesellschaft

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Description of arsenic and boron profiles implanted into SiO2, Si3N4, and Si using Pearson distributions with four moments.

Beschreibung von Arsen- und Borprofilen implantiert in SiO2, Si3N4 und Si mittels Pearsonverteilung mit vier Momenten
 
: Jahnel, J.; Ryssel, H.; Prinke, G.; Hoffmann, K.; Mueller, K.; Henkelmann, R.; Biersack, J.P.

Nuclear instruments and methods 182/183 (1981), pp.223-229 : Abb.,Lit.
ISSN: 0029-554X
English
Journal Article
Fraunhofer IFT; 2000 dem IZM eingegliedert
Arsenprofil; Borprofil; implantation; Pearson-Verteilung; Profil

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-9257.html