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Kontakthoecker mit profilierter Oberflaechenstruktur sowie Verfahren zur Herstellung

Formation of raised bump contacts with additional elevations includes depositing bump, masking it and making further defined deposits on bump, then removing mask.
 
: Oppermann, H.; Ostmann, A.; Nieland, C.

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DE 2001-10157205 A: 20011122
DE 2001-10157205 A: 20011122
DE 10157205 A1: 20030612
H01L0021
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft einen Kontakthoecker sowie ein Verfahren zu dessen Herstellung. Der erfindungsgemaesse Kontakthoecker wird mit einem Schichtabscheideverfahren hergestellt und setzt sich aus einem Grundkoerper mit einer darauf aufgebrachten Profilstruktur zusammen. Die Profilstruktur weist ein oder mehrere Erhebungen auf und wird beispielsweise mit einem vom Aufbringen des Sockels getrennten Schritt der Schichtabscheidung mit Hilfe einer Resistmaske erzeugt. Durch die auf dem Sockel erzeugten Erhebungen wird eine verbesserte Haftung der spaeteren Kontaktverbindung erreicht. Weiterhin lassen sich mit diesen Erhebungen eventuelle Oxidschichten auf der zu kontaktierenden Anschlussflaeche bei der Kontaktierung durchstossen.

 

DE 10157205 A UPAB: 20031022 NOVELTY - Contact bump (1) is deposited onto a connecting surface (3) of a substrate (2). A masking layer (5) is applied. Openings made in the mask provide for additional contact elevations (4) which are laid down on the bump (1). Alternatively etching into the bump takes place. The mask is removed. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for the contact formed. USE - Used to make raised bump contacts with additional elevations. The contacts are generally used to connect chips with other substrates or carriers. ADVANTAGE - Contact is formed effectively with connecting surfaces or other connectors. The connection formed is highly reliable. A tendency in prior art towards incomplete coverage, leading to possible adverse effects of moisture and other effects, is avoided. A variety of different shapes may be deposited using the masking technique.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-88543.html