Options
Title
Verfahren zur Erzeugung von erhabenen Strukturen, insbesondere Kontakthoeckern
Date Issued
2003
Author(s)
Oppermann, H.
Ostmann, A.
Patent No
2001-10157209
Abstract
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von erhabenen Strukturen, insbesondere Kontakthoeckern, auf der Oberflaeche eines Substrates, die eine oder mehrere Metallisierungsflaechen aufweist, bei dem eine Resistschicht auf die Oberflaeche des Substrates aufgebracht und zur Freilegung der Metallisierungsflaechen bzw. darauf aufgebrachter Sockel derart strukturiert wird, dass durchgaengige Vertiefungen mit steilwandigen Seitenwaenden entstehen, in die anschliessend durch stromlose Abscheidung ein elektrisch leitfaehiges Material zur Bildung eines Strukturkoerpers abgeschieden wird. Mit dem vorliegenden Verfahren lassen sich z. B. hohe Kontakthoecker mit steilwandigen Seitenflaechen in kostenguenstiger Weise herstellen, die besonders fuer die Erzeugung grosser Verbindungslaengen zwischen zwei zu kontaktierenden Substraten geeignet sind. Durch Aufbringen einer Deckschicht bei geeigneter Materialwahl laesst sich eine hohe Benetzbarkeit der Spitze bei einer geringen Benetzbarkeit der Seitenflaechen der Kontakthoecker erzeugen, so dass bei Aufbringen eines Lotdepots eine geringere Kurzschlussgefahr besteht.
DE 10157209 A UPAB: 20031022 NOVELTY - Before electroless deposition of the first electrically conductive material, a resist layer is applied to the surface (2) of the substrate (1). This is structured to lay bare the metallization surfaces (3). The structuring forms penetrating depressions with steep sidewalls. Into these, the first electrically conductive material is deposited electrolessly. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is included for the contact bump produced. USE - Formation of contact bumps using an electroless deposition process. ADVANTAGE - The economical process produces raised structures, especially contact bumps, and permits higher structures to be produced with smaller spacing between structures.
Language
de
Patenprio
DE 2001-10157209 A: 20011122