Fraunhofer-Gesellschaft

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Compatibility of impurity-free selective interdiffusion with high-speed and high-power pseudomorphic InyGa1-yAs/GaAs MQW lasers

Kompatibilität von deckschichtinduzierter, selektiver Interdiffusion mit der Herstellung von pseudomorphen InyGa1-yAs/GaAs Hochleistungs- und Hochgeschwindigkeitslaserdioden
 

Institute of Electrical and Electronics Engineers -IEEE-:
LEOS '94. 7th Annual Meeting. Conference Proceedings. Vol.1
New York/N.Y., 1994
pp.48-49 : Abb.,Lit.
IEEE Lasers and Electro-Optics Society (Annual Meeting) <7, 1994, Boston>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
high power laser; Hochgeschwindigkeitslaser; impurity-free interdiffusion; InGaAs/GaAs laser; Interdiffusion; Kurzzeittemperung; rapid thermal annealing

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-8243.html