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Herstellung von optisch abgebildeten Strukturen mit einer Phasenschiebung von transmittierten Lichtanteilen

Process for producing optically reproducible structures on a substrate such as a semiconductor chip or wafer uses a mask having light-permeable regions.
 
: Erdmann, A.; Vial, A.

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DE 2001-10115010 A1: 20010327
DE 2001-10148209 A: 20010810
EP 2002-6942 A: 20020326
DE 10148209 A1: 20021024
EP 1251397 A2: 20021023
G03F0007
G03F0001
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IIS B ( IISB) ()

Abstract
Die Erfindung befasst sich mit einem Verfahren zur Herstellung oder zum Erzeugen von kleinen Strukturen auf Substraten, Halbleiterchips oder solchen Wafern, die als "Halbleiter" bezeichnet werden sollen. Die Erfindung hat sich zum Ziel gesetzt, die Beibehaltung kleiner Maskenstrukturen bei brauchbarer Fokustiefe zu erreichen bzw. zu erhalten und dennoch die Herstellungskosten zu senken. Vorgeschlagen wird dazu ein Verfahren zum Herstellen oder Erzeugen von optisch abbildbaren Strukturen auf einem Halbleiterchip (1) als Substrat, wobei eine Maske (10) verwendet wird, die entsprechend der Gestalt von zu bildenden kleinen Strukturen (13a, 13b) lichtdurchlaessig (10a, 10b, 10c) ist, zum Belichten der kleinen Strukturen und zum Ausbilden einer Intensitaetstopologie (3a, 13a, 13b) auf einer lichtempfindlichen Schicht (3), die auf dem Substrat (2) aufgebracht ist. Ein erstes Teilverfahren zur Definition einer Form und Verteilung der lichtdurchlaessigen Bereiche (10a, 10b, 10c) in oder auf der Maske (10) wird raeumlich (a) und zeitlich getrennt von einem zweiten Teilverfahren zur Veraenderung der Phasenlage (12a) der durch bestimmte Bereiche (10a, 10c) der lichtdurchlaessigen Bereiche transmittierten Lichtanteile (L10a) waehrend der Belichtung der lichtempfindlichen Schicht (3).

 

EP 1251397 A UPAB: 20030101 NOVELTY - Process for producing optically reproducible structures, especially measuring less than 1 mu m, on a substrate (2) such as a semiconductor chip or wafer uses a mask (10) having light-permeable regions (10a, 10b) according to the design of the small structures (13a, 13b) to be depicted to illuminate the small structures and to produce an intensity topology on a light-sensitive layer (3) applied on the substrate. A first partial process for defining a form and for distributing the light-permeable regions in or on the mask is spatially and temporally separate from a second partial process for changing the phase position (12a) of the light fraction (L10a) transmitted by certain regions of the light-permeable regions during illumination of the light-sensitive layer. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a device for carrying out the above process. USE - For producing optically reproducible structures, especially measuring less than 1 mu m, on a substrate

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-81908.html