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Fraunhofer-Gesellschaft
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  4. A compact coplanar W-band variable gain amplifier MMIC with wide control range using dual-gate HEMTs
 
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1998
Conference Paper
Title

A compact coplanar W-band variable gain amplifier MMIC with wide control range using dual-gate HEMTs

Other Title
Ein kompaktes, koplanares W-Band Verstärker MMIC mit variabler Verstärkung und großem Variationsbereich, basierend auf dual-gate Transistoren mit hoher Elektronenbeweglichkeit
Abstract
A W-band variable gain amplifier MMIC with 37 dB gain at 94 GHz and a gain control range of over 70 dB has been developed. The circuit consists of four dualgate HEMT stages, using a 0.15 mu m AlGaAs /InGaAs/GaAs PM-HEMT technology. The chip was realized in coplanar technology and requires an area of only 1 x 3 mm2. The resulting power gain density is 12 dB/mm2 at 94 GHz.
Author(s)
Tessmann, Axel  
Haydl, W.H.
Krems, T.
Neumann, M.
Massler, Hermann
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Verweyen, L.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Hülsmann, A.
Schlechtweg, M.
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Mainwork
IEEE MTT-S International Microwave Symposium Digest 1998. Vol.2  
Conference
International Microwave Symposium 1998  
DOI
10.1109/MWSYM.1998.705084
Language
English
Fraunhofer-Institut für Angewandte Festkörperphysik IAF  
Keyword(s)
  • cascode

  • HEMT

  • high gain

  • hohe Verstärkung

  • Kaskode

  • MMIC

  • phased array

  • Phasensteuerung

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