Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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CMOS/SOI-Technologie auf implantiert vergrabenem Isolator

 
: Belz, J.; Burbach, G.; Vogt, H.; Zimmer, G.

Mikroelektronik. Vorträge der GME-Fachtagung
Berlin/West: VDE-Verlag, 1989 (GME-Fachbericht 4)
ISBN: 3-8007-1624-0
pp.103-107
Mikroelektronik <1989, Baden-Baden>
German
Conference Paper
Fraunhofer IMS ()
Isolator; SIMOX; SOI-CMOS

Abstract
CMOS auf vergrabenem Isolator erlaubt Erhöhung der Packungsdichte, der Schaltgeschwindigkeit und der Immunität gegen ionisierende Strahlung. Durch Hochstromimplantation von Sauerstoff in Silizium entsteht eine nahezu ideale isolierte Siliziumschicht, in die direkt CMOS-Transistoren integriert werden.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-7949.html