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1994
Conference Paper
Titel
CMOS-kompatible Herstellung von 3-dimensionalen Spulen mit ferromagnetischem Kern auf einem Siliziumwafer
Abstract
Dreidimensionale Spulen mit ferromagnetischem Kern wurden auf einem Silicium-Substrat integriert. Diese neuen, in Planartechnologie hergestellten Bauelemente erlauben die Realisierung von hochempfindlichen Magnetfeldsensoren nach dem Fluxgate-Prinzip. Im Hinblick auf eine kosten- und zeitgünstige Fertigung dieser CMOS-untypischen Bauelemente wurde der Fertigungsprozeß so gestaltet, daß weitgehend bekannte Prozeßschritte eines konventionellen 1,5fm/5V Zweilagenmetall-CMOS-Prozesses ohne Modifikation genutzt werden. Damit ist eine Integration der zur Sensoransteuerung und Signalauswertung erforderlichen peripheren Elektronik auf einem Chip und damit die Realisierung eines hochempfindlichen monolithischen Magnetfeldsensorsystems auf Silicium möglich. Das Verfahren zur Abscheidung und Strukturierung der Kernlegierung wurde im Hinblick auf eine CMOS-Verträglichkeit entwickelt.