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Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit durch reaktives Aetzen erzeugten Strukturen

Reactive ion beam etching of III-V cpd. semiconductor - using gas mixt. of argon and oxygen only, giving rapid selective mirror etching and harmless waste gas.
 
: Katzschner, W.; Steckenborn, A.; Loeffler, R.; Grote, N.

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DE 1983-3344491 A: 19831206
DE 1983-3344491 A: 19831206
DE 3344491 A1: 19850620
H01L0021
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer HHI ()

Abstract
Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements mit durch reaktives Aetzen erzeugten Strukturen. Die Strukturen sollen in III-V-Material, beispielsweise InP, GaAs und deren ternaeren und quaternaeren Verbindungen erzeugt werden. Dazu ist das Trockenaetzen mittels beschleunigter Ionen, insbesondere fuer den Mikrometer- und Submikrometerbereich, von besonderer Bedeutung (RIE = reactive ion etching; RIBE = reactive ion beam etching). Fuer die geaetzten Flaechen wird Spiegelqualitaet gefordert. Dazu wird gemaess der Erfindung als Aetzgas ein nur aus Argon und Sauerstoff bestehendes Gasgemisch eingesetzt. Die Selektivitaet bezueglich ueblicher Photolacke erfordert dabei keine zusaetzliche Metallmaskierung. Auch werden aggressive Ablagerungen vermieden, die zu nachtraeglichen Korrosionen fuehren koennen. Uebliche Anlagen sind ohne weiteres geeignet; Anforderungen bezueglich Sicherheit, Umweltbelastung u. dgl. sinken.

 

DE 3344491 A UPAB: 19930925 In the prodn. of a semiconductor device based on III-V material with structures produced by reactive etching with accelerated ions. a gas mixt. consisting only of Ar and O2 is used as etching gas. Structurisation is carried out by reactive ion beam etching (RIBE). The selected angle of incidence of the ion beam to the surface of the solid to be etched is fixed by suitable inclination of the axis of rotation. The accelerated ions are neutralised electrically on their path to the solid to be etched. USE/ADVANTAGE - Etched surfaces with mirror quality and extremely small roughness can be produced with high selectivity and a high etching rate. The use of a corrosive halogen is avoided and the process waste gas is completely harmless. 0/3

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-75608.html