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Plasma-Beschichtungsanlage, Plasma-Beschichtungsverfahren und Verwendung des Verfahrens

Plasma coating device used for coating metallic strip material in the manufacture of photovoltaic cells and modules comprises a hollow cathode.
 
: Thyen, R.

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DE 2001-10107721 A1: 20010219
DE 2001-10111515 A: 20010309
DE 10111515 A1: 20020814
C23C0014
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IST ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine Plasma-Beschichtungsanlage mit einer Hohlkathode, in deren Inneren eine Hohlkathoden-Glimmentladung betreibbar ist, einer das zu beschichtende Substrat und die Hohlkathode einschliessenden Vakuumkammer und mit Mitteln zur Aufnahme von Beschichtungsmaterial, wobei mindestens ein Zusatz-Aufnahmemittel vorgesehen ist, von welchem aus dampffoermiges Beschichtungsmaterial ueber ein Zufuehrungsmittel zum Hohlrauminneren transportierbar und dort plasmaaktivierbar ist, und die Hohlkathode derart ausgebildet ist, dass Beschichtungsmaterial vom Inneren der Hohlkathode zum Substrat transportierbar ist.

 

DE 10111515 A UPAB: 20021031 NOVELTY - Plasma coating device comprises a hollow cathode (1) containing a glow discharge (2); a vacuum chamber (4) containing a substrate (3) to be coated and the cathode; and a container (5) for receiving vapor-like coating material (6). The cathode is structured so that the coating material can be transported from inside of the cathode to the substrate. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a plasma coating process using the above device. Preferred Features: A heater is provided for the cathode, container and the feed device (7) leading from the container to the cathode. USE - Used for coating metallic strip material in the manufacture of photovoltaic cells and modules, semiconductor elements and/or sensor elements, accumulators, heat-insulating architectural glass, electrochromic, photochromic and/or gasochromic coatings for architectural glass and optical and electronic components (claimed). ADVANTAGE - High deposition rates can be achieved.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-75514.html