Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

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Channeling of Si during implantation into GaAs for MESFETs

Channeling von Si bei der Implantation in GaAs für die Herstellung von MESFETs
 
: Maier, M.; Bachem, K.H.; Hornung, J.

Benninghoven, A.:
Secondary Ion Mass Spectrometry. SIMS VI
New York/N.Y.: Wiley and Sons, 1988
ISBN: 0-471-91832-6
pp.765 : Abb.,Lit.
International Conference on Secondary Ion Mass Spectrometry <6, 1987, Versailles>
English
Conference Paper
Fraunhofer IAF ()
GaAs; implantation; Ionen Channeling; SIMS

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-7448.html