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Kompositstruktur fuer elektronische Mikrosysteme sowie Verfahren zur Herstellung der Kompositstruktur

Production of composite structure for electronic microsystems comprises preparing growth substrate with component layer, and applying protective layer to completely enclose the component layer.
 
: Guettler, H.; Koidl, P.; Seelmann-Eggebert, M.

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DE 2000-10043511 A: 20000901
DE 2000-10043511 A: 20000901
WO 2001-DE3418 A: 20010831
EP 2001-974023 A: 20010831
DE 10043511 A1: 20020404
EP 1314191 B1: 20040331
H01L0023
H01L0021
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IAF ()

Abstract
Die Erfindung betrifft eine Kompositstruktur fuer elektronische Mikrosysteme sowie ein Verfahren zur Herstellung der Kompositstruktur, wobei die Kompositstruktur eine polykristalline Diamantschicht zur Waermeableitung aufweist. Werden fuer das Wachstumssubstrat und/oder als Material fuer die Bauteile binaere oder hoeherkomponentige Verbindungshalbleiter - im folgenden Komponentenschicht genannt $I1 - verwendet, wird zwischen der Komponentenschicht und der Diamantschicht eine Schutzschicht angeordnet, die die Komponentenschicht zumindest mittelbar vollstaendig umschliesst. Fuer die Schutzschicht wird ein Material gewaehlt, dessen chemisches Reaktionsvermoegen gegenueber den bei der mittels CVD, bevorzugt mittels Plasma-CVD, vorgenommenen Abscheidung der Diamantschicht vorliegenden Precursormaterialien kleiner als das der Komponentenschicht ist. Damit die Schutzschicht ausreichende Wirkung entfaltet, wird sie mit einer urspruenglichen Schichtdicke von mindestens 20 nm, bevorzugt mindestens 50 nm und besonders bevorzugt mindestens 100 nm aufgetragen.

 

WO 200219403 A UPAB: 20020704 NOVELTY - Production of a composite structure comprises preparing a growth substrate (1) having or forming a component layer (2) with an electronic microsystem, the component layer containing a binary or higher order compound semiconductor; applying a protective layer (3) to the component layer to completely enclose the component layer; and applying a polycrystalline diamond layer (4) to the protective layer by plasma-CVD to deviate heat. DETAILED DESCRIPTION - The protective layer has a thickness of at least 20, preferably at least 50, especially at least 100 nm. An INDEPENDENT CLAIM is also included for the composite structure produced. Preferred Features: The protective layer is made of silicon nitride, silicon dioxide, silicon carbide and/or silicon oxynitride, or aluminum nitride and/or aluminum oxide. USE - Used for electronic microsystems, e.g. integrated circuits, sensors, transistors, and diodes. ADVANTAGE - Heat deviation is effective.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-72722.html