Vertikal-Transistor mit beweglichen Gate und Verfahren zu dessen Herstelllung

Vorgeschlagen wird ein aus einem Halbleiterwafer gefertigter Vertikal-Feldeffekttransistor, mit einem Resttransistor, bestehend aus einem Source Bereich (42), einem Kanalgebiet (3) und einem Drain-Bereich (1) sowie einer mittels mindestens einer flexiblen Aufhaengung vor dem Kanalgebiet beabstandet angeordneten beweglichen Gatestruktur (8), dadurch gekennzeichnet, dass die bewegliche Gatestruktur (8) aus dem Material des Halbleiterwafers besteht. Die Aufhaengungen der beweglichen Struktur haben bevorzugt ein grosses Verhaeltnis von Hoehe zu deren Breite, wodurch das bewegliche Gate sich bevorzugt in der Waferebene bewegen kann.

DE 10029501 C UPAB: 20011113 NOVELTY - Vertical field effect transistor made from a semiconductor wafer comprises a residual transistor consisting of a source region (42), a channel region (3), a drain region (1), and a moving gate structure (8) made from the semiconductor material arranged before the channel region. DETAILED DESCRIPTION - An INDEPENDENT CLAIM is also included for a process for producing a field effect transistor comprising defining the source, drain and channel regions of the residual transistor by forming doping layers in or on a semiconductor wafer; and defining the moving gate structure by isotropic and/or anisotropic etching. Preferred Features: The wafer material is single crystalline silicon. The residual transistor consists of vertical coated regions of different doping. USE - Used in pressure sensors, acceleration sensors, vibration sensors and in positioning systems. ADVANTAGE - The transistor has high mechanical stability.