Fraunhofer-Gesellschaft

Publica

Hier finden Sie wissenschaftliche Publikationen aus den Fraunhofer-Instituten.

Verfahren zur Erzeugung von Justagestrukturen in Halbleitersubstraten

Producing adjustment structures in semiconducting substrates.
 
: Neumeier, K.; Bollmann, D.

:
Frontpage ()

DE 1998-19857742 A1: 19981215
DE 1999-19913612 A: 19990325
WO 1999-DE3796 A: 19991126
DE 19913612 C1: 19991202
H01L0023
G01L0009
German
Patent, Electronic Publication
Fraunhofer IZM ()

Abstract
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Erzeugung von Justagestrukturen in Halbleitersubstraten bei der Herstellung von Bauelementen, insbesondere von mikromechanischen Systemen mit integrierter Halbleiterelektronik. Bei dem Verfahren wird eine erste Schicht auf einem ersten Substrat zur Bildung von ersten Bereichen strukturiert, die fuer die Funktion der Bauelemente erforderlich sind. Weiterhin werden in der ersten Schicht zweite Bereiche gebildet, die die Justagestrukturen darstellen. Die zweiten Bereiche weisen einen Brechungsindex auf, der sich vom Brechungsindex angrenzender Bereiche unterscheidet. Anschliessend wird das erste Substrat mit einem zweiten Substrat verbunden, so dass die erste Schicht zwischen den beiden Substraten liegt. Danach wird entweder das erste oder das zweite Substrat bis auf eine Restdicke geduennt. Die Substratschicht mit dieser Restdicke bildet beispielsweise die Membran bei einem Drucksensor. Durch das erfindungsgemaesse Verfahren wird keine Schwaechung der mechanischen Eigenschaften tragender Schichten hervorgerufen. Das Verfahren kann ohne zusaetzliche Prozessschritte oder aufwendige Aetzverfahren in den Herstellungsprozess integriert werden.

 

DE 19913612 C UPAB: 20000118 NOVELTY - The method involves preparing a first substrate (4-6) on which a first layer (3) is formed, structuring the first layer to form first regions (2) required for the functioning of the components, connecting the first substrate to a second substrate (12) so that the first layer lies between the two substrates and reducing the thickness of the first or second substrate to a residual thickness. The adjustment structures are formed as a second group of regions (2) before the substrates are joined. These regions penetrate the first layer but not the thinned first substrate and have a refractive index different from that of the bounding regions. USE - For producing adjustment structures in semiconducting substrates. ADVANTAGE - No weakening of the mechanical characteristics of the supporting layers is caused and the method can be integrated into the production process without additional process steps or expensive etching processes.

: http://publica.fraunhofer.de/documents/PX-63626.html